第335章 稳定人心（2 / 2）

就像以前联发科的芯片，他们被所有手机厂商用在低端机。消费者就以为所有使用联发科芯片的都是低端机。

众多厂商的代表，听到苏小碗这么说，他们立刻热烈地鼓起掌声。

毕竟谁也不愿意受到三星的钳制。

苏小婉打开虚拟光幕，上面展示着一个橙色的芯片。

她微笑的看着大家说道：“我们公司现在已经研制成功，高端的储存芯片。

等我们集团微电子公司工厂正式建立后，它不止会生产高效的智能芯片，还会生产这种半导体储存芯片。

有这种芯片的存在，你们完全不需要担心以后高端智能设备所用的元器件。

只要大家坚持下去，挺过这次危机。以后的前途会非常光明。”

苏小婉说完，虚拟光幕上开始播放这个半导体储存芯片的性能。

这种半导体储存芯片采用p相变内存，性能是普通存储芯片的100万倍。

它由研发科技材料与化学实验室研发，它是一种新的二维非易失性存储芯片。

科研人员们采用了半导体结构，研发的存储芯片性能优秀，是传统二维存储芯片的100万倍，而且性能更长，刷新时间是内存的156倍，也就是说具备更强的耐用性。

他们研发的存储芯片使用的不是传统芯片的场效应管原理，因为后者在物理尺寸逐渐缩小的情况下会遇到量子效应干扰。

所以郭建濯带领的科研团队使用的是半浮栅极晶体管技术，他们据此展示一种具有范德·瓦尔斯异质结构的近非易失性半浮栅极结构，这种新型的存储芯片具备优异的性能及耐用性。

具体来说，与dra内存相比，它的数据刷新时间是前者的156倍，也就是能保存更长时间的数据，同时具备纳秒级的写入速度，而nand闪存的延迟一般在毫

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